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部分知识参考书籍


全新MOSFET栅较驱动器
     　　Diodes公司推出一对1A额定值的40V紧凑型栅较驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6(采用SOT26封装)和ZXGD3009DY(采用SOT363封装)可缩减MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。
　　
　　新驱动器作为低功率控制IC的高增益缓冲级，能够从仅10mA的输入电流提供500mA的典型驱动电流，从而使功率MOSFET电容负载实现快速充放电功能。驱动器具有**速开关，而且提供少于5ns的传递延迟时间，以及少于20ns的升降时间。
　　
　　两款ZXGD3009系列的产品通过分开的抽灌输出来独立控制MOSFET的开关时间，使MOSFET的工作模式更能满足应用的需求。器件能以正负电压驱动栅较，确保功率MOSFET硬关断的可靠性。
　　
　　新栅较驱动器备有坚固的射较跟随器，以防止闭锁和击穿现象，并能承受高达2A的峰值电流。两款产品提供的40V宽广工作电压范围，加上功率MOSFET栅较驱动，也使它们能处理远**于功率MOSFET栅较驱动常见的12V电压尖峰。